G9出来以后，对于800V的讨论比较多，从价值量来看，主要变化的单元是SiC模块、400/800V 升压电路，还有薄膜电容的设计（耐压变化之后的绝缘处理）。我想通过日韩两国技术Geek的拆解来给大家做个展示。



下图这个全碳化硅逆变器，主要部件绕HybridPACK™ 驱模块（FS03MR12A6MA1B / Infineon），并且400V DC输充电情况，逆变器使电机电感作为升压斩波进行压。

备注：我在想后续是不是也做一些拆解和解析的视频，这个需要实物，需要和朋友们一起想想办法。



Part 1

整个逆变器的系统拆解


这个逆变器的设计，基本和大家知道的差不多。唯一有些变化的主要是800V的系。下图2是主要的件概览：控板在面，主要包括薄膜容、SiC块，动板、放电板、母排、压接器、流传器总成和连接端子。

下面是控制板，基本这个逆变器的设计和我们看到的IGBT的400V逆变器总的电气构架是非常相似的。逆变器的控制部分是独立在外的，我觉得也有可能是考虑EMC干扰的问题，SiC驱动部分和SiC模块也是尽可能靠近，控制板和SiC驱动板用一根排线来进行连接。这个逆变器设计中采传统分离办法逆变本身电气和电子计中，这个逆变器计是采用经典的设计思路，主要创新还是在400V升压这个点上。

下面这个图，是电流传感器总成和高压接触器的部分，这里的绝缘都用了绝缘纸。

围绕这个模块，有很多展开的点，我们这里暂不展开，等有时间了我们重点来说一下下英飞凌的SiC在这个逆变器中的设计。目前不同的拆解机构对SiC模块的分析深度不一样，我觉得这里面还是大有文章可做的。

Part 2

设计原理


从原理来看，Ioniq 5 是通过电机逆变器和电机结合组合成升压系统进行升压 这里主要包括一个高压接触器，电机抽出来的连接端子配合输入端的电容，这几个部件所构成的这个系统方案和比亚迪设计比较相似。

我们注意到，这里面其实除了Y电容之外，有400V母线的薄膜电容（用来做升压）和800V薄膜电容，用来做滤波。

这个薄膜电容，起到的作用不仅仅是电容，通过扫描可以发现，这其实是一个电容和母线排的复合产品。把400V、800V，SiC模块的6路输入的PN两个端子都放在里面了。

这是我做的初步总结，这个后驱系统的SiC逆变器设计上还是很有想法的。

小结：也没太多说的，可能对着视频去解析这些部件更带劲吧（这也是为什么最近在尝试视频化）。目前大部分企业在设计400V到800V的升压电路，参考这种设计的可能性比较大。实际大批量用下来效果还是很不错的。