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在电源系统中，MOS管可以看作是一个电气开关。当在N沟道MOS管ASE10N65SE的栅极和源极之间施加正电压时，其开关导通。打开时，电流可以通过开关从漏极流向源极。那么选用MOS管ASE10N65SE-ASEMI应当注意哪几方面呢？

1、确额定流
根据电配置，这个额定电应该负载所有件下可以承的最电流。与电压的情况类似，需要确保所的MOS管ASE10N65SE能够承受这额定流，即使是系统产生峰电流情况。当考虑两种况是连续模和脉冲尖峰。在连续导通式下，MOS管处稳态，此时流不流过件。脉冲尖峰是指有大浪涌（或峰值电）流器件时。一旦确定这些件下最大流，只需选择能够承受该大电的ASE10N65SE即可。

选额定流后，还必须计算通损。在际应中，MOS管ASE10N65SE并是理想的器件，因为在导过程会有功率损，称为导通损耗。 MOS管ASE10N65SE通时就像一可变阻，由器件RDS(ON)决，并随温度显着变。器件的功可以过Iload2×RDS(ON) 计算，由导通阻随度变，功也成比例变。MOS管施加的压VGS越，RDS(ON)小。对于便携式设计，使较低压更易（更常见），而对于工业设计，可使用更高电压。请注意，RDS(ON) 电阻会随流略微上升。RDS(ON)电阻的各种电气数变可以制造提供技术数据表找到。

2、确散热要求
择MOS管ASE10N65SE的下步是计算系的散热要求。必须考虑两种不同情况，最坏况和实情况。建议使用坏情况的计算结果，因为这个结提供更大安全量来证系不会出现故障。MOS管ASE10N65SE的数据表上有一些测量数据需要注意。如封器件半导体结与环境之的热阻，以及最高结温。

ASE10N65SE结温于最环境度加上热阻和功率散的积（结温=高环境温度+[热阻x功]）。系统最大功耗可从这等式求解，根据定义，它于I2×RDS(ON)。由于已经确了将过器件的最电流，因此可以计算出不同温度的RDS(ON)。值得注意的，在处理简的热型时，还必须考虑导体结/器件外壳和外壳/环境热容。即要求印刷电路板和封不要立即升。

3、确定开关性能
选择MOS管ASE10N65SE的后一是确MOS管的关性。影响开关性能的数有多，但最重要的是极/漏极、极/极和漏极/极电。这些电容会在备中产生开关损耗，因为它们在每次开关时都会充电。因此，降低MOS管的开关速度，也降了器件效率。要计算器件开关期间的总损耗，必须计算开期间损耗(Eon)和关断期的损(Eoff)。MOS管关的总功率可用下表示：Psw=(Eon+Eoff)×开关频率。极电荷(Qgd)对开关性能的影响最。

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