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7N60极限参数：

（1）IDSM，最大漏源电流，是指场效应管7N60正常工作时，漏源之间允许通过的最大电流。 场效应管的工作电流不应超过ID。该参数会随着结温的升高而降额；
（2）IDM，最大脉冲漏电流，7N60这参数会随着结温的高而降额；
（3）PDSM，大耗散功率，是指7N60性能恶化时允许最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应于PDSM，并有定的量。该参数常会随着结的升而降；
（4）VGS，最大源电压，当源之的反向电流始急剧增加时的电压值。结型MOS管常工作时，极和极之的PN结处反偏态，流过，会生击穿；
（5）Tj，高工作结温，通常为150℃或175℃，在件设计的工作条件，必须避免过此度，并应保留一定余量；
（6）TSTG，储存度范。

7N60除上述参数外，还有电极间电（MOS管个电极之间电容，数值小管子的性越好）、高频参数参数。

7N60静态数：

（1）V(BR)DSS，漏击穿压，指当源电压VGS为0时，场效应管7N60所能承受的大漏电压。这是个极限参数，工作压施加到FET必须小于V(BR) DSS。它具有正温特性。因此，该参数在低下的应作为安全考虑。
（2）RDS(on)，特定VGS（通常为10V）、结温和漏极流的件下，MOS管7N60通时漏极和极之的最电阻。这是个非常重要参数，决定MOS管7N60启时功耗。该参数通常随着结的增加而增加。因此，该数在高工作结温的值应作为损耗和压降计算；
（3）VGS(th)，开电压（阈值压）。当施加的栅极控制压VGS超VGS(th)时，漏极和源极区的表面反型层形成连通道。应用，在漏极短接的情况下，ID等1mA时的极电压通常称为导电压。这个数一般会随结温升高而降低；
（4）IDSS，饱和漏源电，栅极电压VGS=0且VDS为一定时的漏源电，一般为微级。由于MOS管输入阻抗较，IGSS般在纳安级。

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